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Magnetron Sputter
磁控式濺鍍機
廠牌:Kao Duen Technology Corporation
型號:R-24K08- SPUTTERING
 
 
製程項目:
I. 濺鍍電極共兩組,可做共濺鍍等摻雜複合材料。
II. 電源供應系統
  i. DC Plasma Generator (直流)/Pulsed DC Plasma Generator (脈衝直流)
    最大操作功率1000W,可濺鍍金屬.合金靶材(如:Ti/Al/Steel/Zn/Zr/Sn等),接通反應氣體可做反應式濺鍍
  ii. 300w RF Generator (射頻)-最大操作功率300W,可濺鍍金屬、合金或無機靶材(如:Al2O3/SiO2等)
III. 氣體源
  配有3種濺鍍用氣體,Ar (0.5~100sccm) O2(0.5~100sccm) N2(0.5~100sccm) (氣體流量計: Brooks 5850E)
  真空度:< 90Min to 5 x 10-6 Torr
IV. 樣品限制
  i. 靶材尺寸: 2吋Sputter Cathode x2 EA(直徑50.8 mm±0.1mm 背板尺寸:直徑50.8 mm ±0.1mm),
    若本中心的靶材為貴單位所需的,可自行準備靶材或向同本中心委購,訂置靶材約需2~4週
  ii. 載台規格:4吋載台,載台下附加熱器最高溫度600度,載台可旋轉最大轉速30/min