磁控式濺鍍機

廠牌：Kao Duen Technology Corporation

型號：R-24K08- SPUTTERING

製程項目

1. 濺鍍電極共兩組，可做共濺鍍等摻雜複合材料。

2. 電源供應系統

  i. DC Plasma Generator (直流)／Pulsed DC Plasma Generator (脈衝直流)

    最大操作功率1000W，可濺鍍金屬.合金靶材(如:Ti/Al/Steel/Zn/Zr/Sn等)，接通反應氣體可做反應式濺鍍

  ii. 300w RF Generator (射頻)－最大操作功率300W，可濺鍍金屬、合金或無機靶材(如:Al2O3/SiO2等)

3. 氣體源

配有3種濺鍍用氣體，Ar (0.5~100sccm) O2(0.5~100sccm) N2(0.5~100sccm) (氣體流量計: Brooks 5850E)

真空度:< 90Min to 5 x 10-6 Torr

4. 樣品限制

  i. 靶材尺寸: 2吋Sputter Cathode x2 EA(直徑50.8 mm±0.1mm 背板尺寸:直徑50.8 mm ±0.1mm)，

    若本中心的靶材為貴單位所需的，可自行準備靶材或向同本中心委購，訂置靶材約需2~4週

  ii. 載台規格:4吋載台，載台下附加熱器最高溫度600度，載台可旋轉最大轉速30/min